Penerangan Produk
-Galium oksida/Ga2O3, biasanya dikenali sebagai galium oksida, telah menjadi tumpuan bidang semikonduktor sejak beberapa tahun kebelakangan ini dan mewakili lembaran baharu dalam semikonduktor generasi keempat. Di makmal, penyelidik terus membuat-penerobosan yang menarik perhatian, dan Kepantasan pengeluaran besar-besaran dan pengkomersilan juga terus meningkat.
Gallium oksida mempunyai kestabilan kimia dan haba yang baik, dengan lebar celah jalur 4.7-4.9eV dan kekuatan medan pecahan kritikal 8 MV/cm (jauh lebih tinggi daripada had teori 2.5 MV/cm untuk SiC dan 3.3 MV untuk GaN /cm), mobiliti elektron ialah 250 cm2/V·s, kekonduksian kuat. Angka merit Baliga melebihi 3000, iaitu beberapa kali ganda daripada bahan GaN dan SiC.
-Ga2O3juga mempunyai prospek aplikasi yang luas dalam bidang pengesanan ultraviolet buta suria (200~280 nm). Lebar celah jalur galium oksida ialah 4.8-4.9 eV, dan pinggir jalur serapan yang sepadan ialah sekitar 250 nm. Ia tidak memerlukan proses pengaloian yang serupa dengan AlGaN dan ZnMgO. Ia adalah bahan yang sesuai untuk membuat pengesan ultraviolet buta matahari.
galium oksida ( -Ga2O3) kristal mempunyai sifat kimia yang stabil, tidak mudah terhakis, mempunyai kekuatan mekanikal yang tinggi, prestasi yang stabil pada suhu tinggi, dan mempunyai ketelusan yang boleh dilihat dan ultraungu yang tinggi. Ia telus terutamanya di kawasan ultraungu dan cahaya biru. Ini adalah bahan konduktif telus tradisional. Oleh itu, -Kristal tunggal Ga2O3 boleh menjadi generasi baharu bahan konduktif lutsinar dan digunakan dalam sel solar dan teknologi paparan panel rata. Kekonduksian -Ga2O3 hablur tunggal berubah dengan perubahan dalam persekitaran sekeliling dan boleh digunakan dalam teknologi pengesanan gas.
Parameter Produk
|
Substrat kristal tunggal galium oksida |
||
|
saiz |
2" dan disesuaikan |
5mm*5mm-20mm*20mm |
|
kapal terbang |
<001>,<100> |
<-201>,<010> |
|
penyelewengan |
<1° or customized declination angle |
|
|
Ketebalan |
650±50μm atau disesuaikan |
|
|
Jenis kekonduksian |
N, separa-tertebat |
|
|
Kerintangan |
<1ω•cm>1x1010Ω•cm |
|
|
XRD separuh lebar maksimum |
<150arcsec |
|
|
Kekasaran permukaan Ra |
<0.5nm |
|
|
Wafer epitaxial galium oksida |
||
|
• Substrat galium oksida |
||
|
saiz |
2" dan disesuaikan |
|
|
kapal terbang |
<001>atau disesuaikan |
|
|
Dopan |
Si, Sn, Fe |
|
|
Ketebalan |
650±50μm atau disesuaikan |
|
|
XRD separuh lebar maksimum |
<150arcsec |
|
|
• Lapisan homoepitaxial galium oksida |
||
|
Dopan |
UID atau Si |
|
|
Kepekatan pembawa |
2x1016-1x1018 |
|
|
Ketebalan |
5-20μm |
|
Kelebihan galium oksida:
Jurang jalur lebar:Galium oksida mempunyai jurang jalur lebar kira-kira 4.8-4.9 volt elektron, menjadikannya berfaedah dalam aplikasi seperti pengesan UV dan peralatan bekalan kuasa.
Kestabilan suhu-tinggi:Kestabilan suhu tinggi-yang baik, ia boleh berfungsi dalam persekitaran sehingga 1200 darjah Celsius, menjadikannya sesuai untuk senario aplikasi-suhu tinggi, kuasa-tinggi dan-tinggi.
Kekuatan medan pecahan tinggi:Gallium oksida mempunyai kekuatan medan elektrik pecahan yang tinggi, menjadikannya digunakan secara meluas dalam-peralatan voltan tinggi.
Sifat optik yang baik:ketelusan optik yang baik dalam julat panjang gelombang yang luas daripada ultraungu kepada inframerah.
Kestabilan kimia yang baik:Galium oksida mempunyai kestabilan kimia yang tinggi pada suhu dan tekanan bilik, dan mempunyai toleransi yang baik terhadap banyak asid dan bes.
Ciri-ciri ini menjadikan galium oksida mempunyai potensi aplikasi yang luas dalam bidang elektronik kuasa, optoelektronik, fotokatalisis, penderia gas dan bidang lain.
Aplikasi Produk
Gallium oksida boleh digunakan dalam cip sensor pengesanan sinaran dalam komunikasi, radar, aeroangkasa,-kereta api berkelajuan tinggi, kenderaan tenaga baharu dan medan lain. Terutamanya dalam peranti-kuasa tinggi, suhu-tinggi dan-tinggi, galium oksida mempunyai prestasi yang lebih tinggi daripada silikon karbida dan galium nitrida. Terdapat kelebihan yang lebih besar dalam banyak aspek.
Peranti kuasa yang diperbuat daripada galium oksida adalah lebih baik daripada produk yang diperbuat daripada silikon karbida dan galium nitrida dari segi prestasi, kos dan julat aplikasi. Dalam sepuluh tahun akan datang, apabila permintaan meningkat, galium oksida dijangka akan menggantikan karbon dan nitrida secara beransur-ansur. Galium oksida dan bahan semikonduktor generasi ketiga-yang lain.
Aplikasi & Ciri
Doping gentian Gallium oksida
Bahan bateri Gallium oksida
bateri keadaan pepejal Gallium oksida
semikonduktor Gallium oksida
kristal Gallium oksida
seramik Gallium oksida
Sains dan Teknologi Filem Nipis Gallium oksida
Penghantaran Pembungkusan
Pelan pembelian profesional
Memberi anda produk-kos efektif
Pembungkusan profesional dan jaminan keaslian
Beroperasi dengan integriti dan sediakan invois
Logistik yang cepat dan penghantaran yang selamat
Logistik yang cepat dan penghantaran yang selamat
Perkhidmatan yang sangat baik dan perkhidmatan-bebas selepas jualan-bebas
Memberi anda perkhidmatan yang terbaik
Soalan Lazim
Soalan Lazim
01.S: Apakah perkhidmatan yang boleh disediakan oleh Ehisen?
02.Q: Bagaimana anda memastikan kualiti?
03.Q: Adakah anda menyediakan sokongan teknikal?
04.S: Bilakah anda akan menghantar?
05.Q: Berapakah kos penghantaran?
06.S: Adakah anda mempunyai bekalan yang saya perlukan?
Hubungi AS
kami di sini untuk anda
Lorem ipsum dolor sit amet consectetur adipisicing elit.
+86 18700703333 Elsa
Cool tags: galium oksida, China gallium oksida pengeluar, pembekal, kilang, မြင့်မားသော entropy အလွိုင်းထူးခွားတဲ့အင်္ဂါရပ်များ, High-Entropy Allot အမှုန့်, မြင့်မားသော ent-ent-entropy အလွိုင်းစိတ်ကြိုက်, ကွဲပြားခြားနားသောဖွဲ့စည်းမှုနှင့်အတူမြင့်မားသော ent-entropy သတ္တုစပ်, ကွဲပြားခြားနားသောဂုဏ်သတ္တိများနှင့်အတူမြင့်မားသော ent-entropy သတ္တုစပ်, မြင့်မားသော ent-entropy အလွိုင်းပွတ်